엔비디아 NVHBM 베이스 다이 TSMC 3나노 요구 보도, 메모리 3사 요청

엔비디아가 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 만들어 달라고 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 요청했다는 보도가 나왔어요. 서울경제는 삼성전자가 내부 검토 끝에 이를 받아들이기로 했다고 전했어요. 다만 업계 관계자를 인용한 보도이고 회사들이 직접 밝힌 내용은 아니에요. 엔비디아는 8월에 NVHBM을 공개하며 메모리 컨트롤러를 베이스 다이 안으로 옮겼다고 했어요.

엔비디아가 발표한 NVHBM의 핵심 수치 정리 (2026년 10월 21일 기준)

NVHBM은 무엇이고 베이스 다이는 왜 중요할까요?

HBM은 D램 칩을 여러 층으로 쌓아 데이터를 아주 빠르게 주고받도록 만든 메모리예요. 쌓인 칩 가운데 실제로 데이터를 저장하는 칩을 코어 다이라고 부르고 맨 아래에서 신호 전달과 제어를 맡는 칩을 베이스 다이라고 불러요. 코어 다이가 물건을 쌓아 두는 창고라면, 베이스 다이는 창고의 출입구와 물류를 관리하는 곳에 가까워요.

엔비디아는 2026년 8월 26일 공식 블로그에서 NVHBM을 공개했어요. 기존 HBM 구조에서는 메모리 컨트롤러가 연산 칩(XPU) 안에 들어 있어요. NVHBM은 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이 안으로 옮긴 방식이에요. 연산 칩에서 컨트롤러가 차지하던 공간을 줄여 그만큼 연산에 쓰겠다는 설계예요.

엔비디아가 제시한 수치는 표준 HBM4E와 비교한 값이에요. 메모리 대역폭은 최대 30% 늘고 HBM 전력 사용은 최대 15% 줄고 연산 칩 면적은 최대 25% 더 확보할 수 있다고 했어요. 이 수치는 모두 엔비디아가 밝힌 최대치이고 제3자가 검증한 결과는 공개되지 않았어요.

사진 출처 NVIDIA 공식 블로그(10월 21일 캡처)

인터페이스 회로가 줄어드는 폭은 자료마다 표현이 달라요. 엔비디아 기술 블로그는 JEDEC HBM4E 표준과 비교해 PHY와 부속 영역이 최대 67% 줄어든다고 했어요. 서울경제는 같은 항목을 표준 HBM보다 60% 줄였다고 전했어요. 기준이 되는 원문은 엔비디아 자료이니 최대 67%를 기준으로 보면 돼요.

사진 출처 NVIDIA Technical Blog(10월 21일 캡처)

엔비디아는 표준 NVHBM 구현을 여러 메모리 업체에서 공급받을 수 있게 하겠다고 했어요. 아마존의 반도체 자회사 애너푸르나 랩스가 가장 먼저 협력하는 파트너예요. 업체마다 만드는 방식이 다르면 같은 성능을 내기 어렵기 때문에, 이번 보도에서 나온 공정 통일 요청도 이 흐름과 이어져 있어요.

사진 출처 NVIDIA Technical Blog(10월 21일 캡처)

서울경제가 전한 엔비디아의 요청 내용

서울경제는 10월 18일 단독 보도에서 엔비디아가 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 만들어 달라고 요구했다고 전했어요. 코어 다이도 6세대 D램 공정인 1c로 통일해 달라고 요청했다고 해요. NVHBM은 7세대 HBM인 HBM4E 구조를 기반으로 해요.

요청 이유로는 공급 업체마다 제조 방식이 다르면 설계한 제품 성능을 일관되게 구현하기 어렵다는 점이 거론됐어요. 업체마다 제품 검증을 따로 해야 하는 부담을 줄일 수 있다는 설명도 함께 나왔어요.

서울경제 보도를 기준으로 정리한 요청 내용 (2026년 10월 18일 보도)

삼성전자 쪽 내용도 구체적으로 전해졌어요. 올해 초 세계 최초로 양산한 6세대 HBM4와 양산 검증 중인 HBM4E는 베이스 다이에 삼성 파운드리의 4나노 공정을 쓰고 코어 다이는 화성·평택 캠퍼스의 1c 라인에서 만든다고 해요. 삼성전자 DS 부문이 내부 검토 끝에 엔비디아의 요구를 받아들이기로 했다는 게 보도의 핵심이에요.

삼성전자가 HBM과 그래픽처리장치(GPU)를 연결하는 과정에서 4년 전 TSMC의 패키징 공정과 호환을 위해 협력한 적은 있어요. 하지만 HBM 제조 단계부터 함께하는 것은 이번이 처음이라고 보도됐어요.

표준 HBM과 AMD 등 다른 고객사의 맞춤형 HBM에서는 기존의 턴키 방식을 유지할 방침이라고 해요. 턴키는 베이스 다이와 코어 다이를 모두 자체 생산해 한꺼번에 공급하는 방식이에요. NVHBM용 베이스 다이를 자체 파운드리에서도 만들 수 있는지 검증하고 있다는 얘기도 있어요. NVHBM 수요가 TSMC의 생산능력을 넘을 경우에 대비한 것이라고 업계 관계자는 전했어요.

마이크론과 SK하이닉스는 어떤 상황일까요?

마이크론은 앞서 이 주제를 언급했어요. 디일렉에 따르면 스콧 디보어 마이크론 최고기술·제품책임자는 9월 30일(현지시간) 2026회계연도 4분기 실적발표 행사에서 엔비디아와 공동 설계한 커스텀 NVHBM과 JEDEC 표준 HBM4E 제품군 모두 파운드리 공정의 베이스 다이로 개발된다고 했어요. 마이크론이 자체 베이스 다이를 쓰던 HBM4와는 다른 방식이에요.

디일렉은 마이크론이 HBM4E 베이스 다이를 TSMC에 맡기는 것으로 보고 공정은 3나노급으로 추정된다고 전했어요. 마이크론은 HBM4E부터 10나노급 6세대 1γ 공정으로 만든 코어 다이를 쓰는데, 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 1c 공정과 같은 세대예요.

SK하이닉스는 서울경제 보도에서 요청 대상으로 언급됐지만 이번 보도에 대한 회사의 입장은 확인되지 않았어요. 회사가 공식 입장을 내면 IR 자료나 보도자료로 다시 확인하는 것이 좋아요.

구분	보도된 내용	현재 상태
베이스 다이 공정	TSMC 3나노로 요청	업계 관계자 인용 보도
코어 다이 공정	6세대 D램 1c로 통일 요청	업계 관계자 인용 보도
삼성전자	내부 검토 후 수용, 자체 파운드리 검증 병행	회사 공식 발표 전
마이크론	파운드리 베이스 다이 사용	실적발표 발언 보도
기반 규격	HBM4E(7세대) 구조	서울경제 보도

이 보도를 어떻게 읽을 수 있을까요?

확인된 사실부터 나눠 볼게요. 엔비디아가 NVHBM이라는 맞춤형 HBM 구조를 공개한 것은 공식 블로그로 확인되는 내용이에요. 마이크론이 파운드리 공정의 베이스 다이를 쓴다고 밝힌 것도 실적발표 발언으로 전해졌어요. 반면 삼성전자가 TSMC 3나노를 받아들였다는 내용은 업계 관계자를 인용한 보도 단계예요.

여기서부터는 해석이에요. 베이스 다이가 단순한 보조 부품에서 설계 경쟁의 중심으로 올라오고 있다고 볼 수 있어요. 컨트롤러 기능과 GPU에서 옮겨온 기능까지 베이스 다이에 넣으려면 한정된 면적에 더 많은 회로를 넣어야 하고 그래서 3나노급 공정이 필요하다고 서울경제 후속 기사는 설명했어요. 메모리 업체가 자체 공정 대신 파운드리 공정을 쓰면 메모리와 파운드리 업계의 협력 방식이 달라질 수 있어요.

다만 이 보도만으로 실적이나 주가 방향을 말하기는 어려워요. 물량과 가격, 일정이 담긴 계약 내용은 공개되지 않았고 비용이 어떻게 나뉘는지도 알려지지 않았어요.

앞으로 확인해 볼 점

공식 확인 전 단계의 보도는 이후 내용이 정정되거나 달라질 수 있어요. 같은 주제의 후속 보도가 나오면 보도 날짜와 인용 출처를 먼저 살펴보세요. 아래 항목을 기준으로 확인하면 정보가 어디까지 확정됐는지 구분하기 쉬워요.

• 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 공식 입장이나 IR 자료에서 같은 내용이 확인되는지 살펴보세요.
• TSMC의 생산능력과 삼성전자 자체 파운드리의 검증 결과가 어떻게 전해지는지 지켜보세요.
• 엔비디아와 메모리 업체 사이의 물량, 가격, 일정은 공시나 실적발표 컨퍼런스콜에서 언급되는지 확인하세요.
• HBM4E와 NVHBM 양산 시점은 각 사 발표를 기준으로 달라질 수 있어요.

공식 발표와 보도 단계 내용을 나눈 정리 (2026년 10월 21일 기준)

자주 묻는 질문 FAQ

Q1. NVHBM은 일반 HBM과 무엇이 다른가요?
A1. 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이 안에 넣은 구조예요. 기존에는 연산 칩 안에 있던 기능이라 연산 칩 면적을 줄일 수 있다고 엔비디아는 했어요.

Q2. 베이스 다이를 왜 TSMC 공정으로 만들려고 할까요?
A2. 보도에서는 업체마다 제조 방식이 다르면 성능을 일관되게 구현하기 어렵다는 점이 이유로 나왔어요. 컨트롤러 같은 로직 회로를 더 넣으려면 미세 공정이 필요하다는 설명도 있어요.

Q3. 이 보도는 확정된 내용인가요?
A3. 서울경제가 업계 관계자를 인용해 전한 내용이고 회사가 공식 발표한 것은 아니에요. 확정 여부는 각 회사의 공식 입장으로 확인하는 것이 좋아요.

Q4. 삼성전자는 앞으로 HBM을 모두 TSMC와 함께 만드나요?
A4. 보도에 따르면 아니에요. 표준 HBM과 AMD 등 다른 고객사의 맞춤형 HBM에서는 기존 턴키 방식을 유지할 방침이라고 해요.

Q5. 관련 소식은 어디서 다시 확인하면 되나요?
A5. 엔비디아 공식 블로그와 기술 블로그, 각 메모리 업체의 IR 페이지와 실적발표 자료, 금융감독원 전자공시시스템에서 확인할 수 있어요.

정리

엔비디아가 공개한 NVHBM은 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이로 옮겨 연산 칩의 공간을 아끼는 구조예요. 서울경제는 엔비디아가 메모리 3사에 베이스 다이를 TSMC 3나노로, 코어 다이를 1c로 만들어 달라고 요청했고 삼성전자가 이를 받아들이기로 했다고 보도했어요. 특정 기업에 대한 평가는 담지 않았어요.

여러분은 메모리 업체와 파운드리 업체의 협력이 늘어나는 흐름을 어떻게 보시나요?

참조한 자료들

NVIDIA 블로그 NVHBM 발표(8월 26일)
NVIDIA 기술 블로그 NVHBM 설명
서울경제 삼성전자 TSMC HBM 단독(10월 18일)
서울경제 삼성·TSMC 메모리 병목 기사
디일렉 마이크론 NVHBM 발언(10월 1일)

⚠️ 투자 경고: 본 글은 정보 제공을 목적으로 작성했으며 투자 권유가 아니에요. 투자 판단과 그에 따른 책임은 투자자 본인에게 있어요.